发布网友 发布时间:2022-04-22 04:31
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热心网友 时间:2024-03-13 09:54
CL是CAS Latency的缩写,一般翻译成CAS潜伏时间,是在北桥(Intel)/CPU(AMD最近的CPU)读取内存数据时的一个参数,这个参数对于内存的性能有比较大的影响。
CAS是内存信号中的一个信号,读取内存的具体过程是这样的:有行(RAS#)列(CAS#)两条信号,类似于我们的方格纸的行和列,要读取内存数据时,RAS#信号拉低,内存地址线上的地址就是行地址,相当于我们确定了方格纸上的行,几个时钟周期后CAS#信号拉低,内存地址线上的地址就是列地址,相当于确定了方格纸上的列,这样就能确定读取方格纸上那个格的数据,再过几个时钟周期(CL),开始读取内存相应地址的数据。
这样说来CL就是CAS#到开始读取内存数据的时钟数,对于同一种时钟速度的内存(比如都是DDR333),大致CL越小,速度越快,但是对于不同时钟速度的内存(比如DDR333与DDR400),没有可比性。
可惜不能贴图,不然能很直观的看出来。
数据输出(读)
在选定列地址后,就已经确定了具体的存储单元,剩下的事情就是数据通过数据I/O通道(DQ)输出到内存总线上了。但是在CAS发出之后,仍要经过一定的时间才能有数据输出,从CAS与读取命令发出到第一笔数据输出的这段时间,被定义为CL(CAS Latency,CAS潜伏期)。由于CL只在读取时出现,所以CL又被称为读取潜伏期(RL,Read Latency)。CL的单位与tRCD一样,为时钟周期数,具体耗时由时钟频率决定。
不过,CAS并不是在经过CL周期之后才送达存储单元。实际上CAS与RAS一样是瞬间到达的,但CAS的响应时间要更快一些。为什么呢?假设芯片位宽为n个bit,列数为c,那么一个行地址要选通n×c个存储体,而一个列地址只需选通n个存储体。但存储体中晶体管的反应时间仍会造成数据不可能与CAS在同一上升沿触发,肯定要延后至少一个时钟周期。
CL的数值不能超出芯片的设计规范,否则会导致内存的不稳定,甚至开不了机(超频的玩家应该有体会),而且它也不能在数据读取前临时更改。CL周期在开机初始化过程中的MRS阶段进行设置,在BIOS中一般都允许用户对其调整,然后BIOS控制北桥芯片在开机时通过A4-A6地址线对MR中CL寄存器的信息进行更改
参考资料:Double Data Rate (DDR) SDRAM Specification
热心网友 时间:2024-03-13 09:54
在BIOS主界面的 Advanced Chipset Features 选项子界面中大家可以看到:
SDRAM Frequency
Configure SDRAM Timing by SPD
SDRAM CAS# Latency 简称CL
SDRAM RAS# Precharge 简称TRP
SDRAM RAS# to CAS# Delay 简称TRCD
SDRAM Precharge Delay 简称TRAS
SDRAM Burst Length 简称BL
CL、tRCD、tRP 为绝对性能参数,在任何平台下任何时候,都应该是越小越好,调节的优化顺序是 CL → tRCD → tRP
Automatic Configuration“自动设置”(可能的选项:On/ Off或Enable/Disable)
可能出现的其他描述为:DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等,如果你要手动调整你的内存时序,你应该关闭它,之后会自动出现详细的时序参数列表。
Bank Interleaving(可能的选项:Off/Auto/2/4)
这里的Bank是指L-Bank,目前的DDR RAM的内存芯片都是由4个L-Bank所组成,为了最大限度减少寻址冲突,提高效率,建议设为4(Auto也可以,它是根据SPD中的L-Bank信息来自动设置的)。
Burst Length“突发长度”(可能的选项:4/8)
一般而言,如果是AMD Athlon XP或Pentium4单通道平台,建议设为8,如果是Pentium4或AMD 的双通道平台,建议设为4。但具体的情况要视具体的应用而定。
CAS Latency “列地址选通脉冲潜伏期”(可能的选项:1.5/2/2.5/3)
BIOS中可能的其他描述为:tCL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay。
Command Rate“首命令延迟”(可能的选项:1/2)
这个选项目前已经非常少见,一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等。由于目前的DDR内存的寻址,先要进行P-Bank的选择(通过DIMM上CS片选信号进行),然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令,单位是时钟周期。显然,也是越短越好。但当随着主板上内存模组的增多,控制芯片组的负载也随之增加,过短的命令间隔可能会影响稳定性。因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间,才需要将此参数调长 。目前的大部分主板都会自动设置这个参数,而从上文的ScienceMark 2.0测试中,大家也能察觉到容量与延迟之间的关系。
RAS Precharge Time “行预充电时间”(可能的选项:2/3/4)
BIOS中的可能其他描述:tRP、RAS Precharge、Precharge to active。
RAS-to-CAS Delay“行寻址至列寻址延迟时间”(可能的选项:2/3/4/5)
BIOS中的可能其他描述: tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD等。
Active to Precharge Delay“行有效至行预充电时间”(可能的选项:1……5/6/7……15)
热心网友 时间:2024-03-13 09:55
欺待高手回答!
热心网友 时间:2024-03-13 09:55
好问题啊 ,还有SV......高手指点一下~~