IGBT的工作原理?

发布网友 发布时间:2022-04-24 18:00

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热心网友 时间:2023-10-29 14:33

igbt工作原理和作用是:
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。
由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。
虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个标准双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图。

热心网友 时间:2023-10-29 14:34

由图1看出IGBT包含P+/N-/P/N+四层结构,可以认为IGBT是由一个MOSFET和一个PNP三极管组成,由栅极控制的MOSFET来驱动PNP晶体管;也可以把它看成是由一个VDMOS和一个PN二极管组成。。以图1为例分析IGBT的工作模式。在图1所示的结构中,栅极G与发射极E短接且接正电压、集电极接负压时,器件处于反向截止状态。此时J1、J3结反偏、J2结正偏,J1、J3反偏结阻止电流的流通,反向电压主要由J1承担。当栅极G与发射极E短接,集电极C相对于栅极加正电压时,J1、J3结正偏、J2结反偏,电流仍然不能导通,电压主要由反偏结J2承担,此时IGBT处于正向截止。PT型IGBT由于缓冲层的存在通过牺牲反向阻断特性来获得较好的正向阻断特性,而NPT型IGBT则拥有较好的正反向阻断特性。当集电极C加正电压,栅极G与发射极E施加电压大于阈值电压时,IGBT的MOS沟道开启,器件进入正向导通状态。

热心网友 时间:2023-10-29 14:34

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘三双极型功率管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
结构相当于一个由MOSFET驱动的GTR,因而他综合了GTR和MOSFET的优点,即它既有MOSFET输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、驱动电路简单的驱动功率小等优点。也具有GTR通态压降低、通流能力强的优点。
是一个三端器件、具有栅极G、集电极C和发射极E,目前多为N沟道型。相当于一个由MOSFET驱动厚基区PNP晶体管。 为场控器件,其开通与关断是有GE电压决定的。GE电压大于开启电压时,MOSEFET内形成沟道,并未晶体管提供基极电流,进而使IGBT导通。

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