内存计时 @ 609 MHz 8-8-8-22 (CL-RCD-RP-RAS) / 30-98-4-10-5-5 (RC-RFC-RRD-WR-WTR-RTP) @ 533 MHz 7-7-

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热心网友

这是内存的时序表,一般来说时序越低,内存延迟越低,性能越好.
但性能不只尤时序决定,还取决于内存频率.
当内存频率越高,时序越低时,内存性能便很好。

由于内存在标签上并没有具体统一的格式,所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息,这些也都是最基本的参数。

内存延迟

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示,例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高,因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的,相互影响的程度非常大,并且也不是数值最大时其性能也最差,那么更加合理的配比参数很重要。

上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz,延迟为“5-6-6-18”,它们代表的意义从左往右分别是:

CAS Latency,即列地址选通脉冲时间延迟,我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

RAS-to-CAS Delay(tRCD),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间,即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。

热心网友

没分不回答追问忘给分了,请告诉我呗?

追答你的内存是金士顿的吧 ,。。 其实看这些参数没什么意义 只要条子运行正常就行

热心网友

这是内存的时序表,一般来说时序越低,内存延迟越低,性能越好.
但性能不只尤时序决定,还取决于内存频率.
当内存频率越高,时序越低时,内存性能便很好。

由于内存在标签上并没有具体统一的格式,所以在识别时候有些麻烦。一般的标签都必须有的信息为容量(2048MB)、频率(1066MHz)、延迟(5-6-6-18)、电压(2.10V)等信息,这些也都是最基本的参数。

内存延迟

内存延迟表示系统进入数据存取操作就绪状态前等待内存相应的时间,它通常用4个连着的阿拉伯数字来表示,例如“5-6-6-18”。其实并非延迟越小内存性能越高,因为CL-TRP-TRCD-TRAS这四个数值是配合使用的,相互影响的程度非常大,并且也不是数值最大时其性能也最差,那么更加合理的配比参数很重要。

上图我们看到这款海盗船内存频率为1066MHz,延迟为“5-6-6-18”,它们代表的意义从左往右分别是:

CAS Latency,即列地址选通脉冲时间延迟,我们常说的CL值就是它。指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。

RAS-to-CAS Delay(tRCD),对应于CAS,RAS是指Row Address Strobe,行地址选通脉冲。CAS和RAS共同决定了内存寻址。RAS(数据请求后首先被激发)和CAS(RAS完成后被激发)并不是连续的,存在着延迟。即内存行地址传输到列地址的延迟时间。

Row-precharge Delay(tRP),内存行地址选通脉冲预充电时间,即内存从结束一个行访问结束到重新开始的间隔时间。

Row-active Delay(tRAS),内存行地址选通延迟。是指从收到一个请求后到初始化RAS(行地址选通脉冲)真正开始接受数据的间隔时间。

热心网友

没分不回答追问忘给分了,请告诉我呗?

追答你的内存是金士顿的吧 ,。。 其实看这些参数没什么意义 只要条子运行正常就行

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