发布网友 发布时间:2022-04-22 08:46
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热心网友 时间:2023-11-21 15:10
MOS管本身自带有寄生二极管,作用是防止VDD过压的情况下,烧坏MOS管,因为在过压对MOS管造成破坏之前,二极管先反向击穿,将大电流直接到地,从而避免MOS管被烧坏。要考虑二极管的单向导通性,主要是其保护作用,G,S间的寄生电容较小,通常在几pf到10几pf左右。考虑到U=Q/C,故很容易在栅极上形成极高的ESD电压,所以通常会在G-S之间加上TVS,防止G-S击穿。
热心网友 时间:2023-11-21 15:10
功率稍大的MOS管,G极和S极间存在一个20P左右的结电容。由于MOS管是电压控制元件,此电容的存在必然会对MOS管的高频特性有很大的影响。加入二极管D2可以在脉冲驱动信号的下降沿为G-S结电容提供一个泄压通道,改善了MOS管的高频特性,能使高频方波脉冲信号的下降沿保持陡峭的波形。
热心网友 时间:2023-11-21 15:11
小于分子是37小于分子是37小于分子是37小于分子是37