“PSRAM”和“NORFLASH”有什么区别？
发布网友
发布时间：2022-04-22 09:32
共1个回答
热心网友
时间：2023-10-06 05:00
PSRAM，假静态随机存储器。 \x0d\x0a\x0d\x0aPSRAM \x0d\x0a\x0d\x0a背景： \x0d\x0a\x0d\x0aPSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。 \x0d\x0a\x0d\x0a基本原理： \x0d\x0a\x0d\x0aPSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。 \x0d\x0a\x0d\x0aPSRAM容量有8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。 \x0d\x0a\x0d\x0aPSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,MB和128MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。 \x0d\x0a\x0d\x0a目前发展现状： \x0d\x0a\x0d\x0a东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。 \x0d\x0a\x0d\x0aNOR是现在市场上主要的非易失闪存技术。NOR一般只用来存储少量的代码；NOR主要应用在代码存储介质中。NOR的特点是应用简单、无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行(XIP, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在（NOR型）flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分 \x0d\x0a\x0d\x0a目前大部分手机使用NORFLASH实现代码存储，同时采用SRAM或者PSRAM作为缓存或工作内存，而NANDFLASH厂商提倡把NANDFLASH与SDRAM相结合。
