专利名称：低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：陈仁政,宋蓓蓓,程华容,杨喻钦,杨魁勇申请号：CN201310331698.0申请日：20130801公开号：CN104341144A公开日：20150211
摘要：本发明提供的低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法，涉及电子信息材料与元器件技术领域，包括主料、副料、改性添加剂和烧结助剂，所述主料是CaMgSiO；所述的副料是BaZrO；所述改性添加剂是MnO、AlO、CoO、ZnO中的一种或几种；所述的烧结助剂是LiO、CaO、MgO、SiO、BO中的一种或几种，其中，主料50～58wt%、副料21～26wt%、改性添加剂3～8wt%、烧结助剂12～22wt%。本发明提供一种低温烧结C0G特性微波介质材料及其制备方法，有效提高品质因素，使得陶瓷能够在较低温度烧结下，保持良好介电性能的同时，拥有稳定的温度系数。
申请人：北京元六鸿远电子技术有限公司
地址：102600 北京市大兴区生物医药产业基地天贵街1号
国籍：CN
代理机构：北京汇信合知识产权代理有限公司
代理人：戴凤仪
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