专利名称：栅极沟槽填充方法专利类型：发明专利发明人：陆怡,李昊
申请号：CN202010060925.0申请日：20200119公开号：CN111244167A公开日：20200605
摘要：本申请公开了一种栅极沟槽填充方法，包括：提供一衬底，衬底上形成有沟槽，衬底上除沟槽外的其它区域形成有硬掩模层；对硬掩模层和衬底进行刻蚀，去除硬掩模层且使沟槽开口处形成弧形倒角；在衬底和沟槽表面形成栅氧化层；在栅氧化层表面形成多晶硅层，多晶硅层填充沟槽形成栅极。本申请通过在沟槽栅器件的衬底上形成硬掩模层，在栅极对应的沟槽形成后，通过对硬掩模层和衬底进行刻蚀，在去除硬掩模层的同时且使沟槽开口处形成弧形倒角，从而在沟槽和衬底上形成栅氧化层后，栅氧化层在沟槽开口处的不易造成堆积，从而提高了沟槽的开口宽度，降低了后期多晶硅填充时空洞的形成几率，提高了器件制造的良率。
申请人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
国籍：CN
代理机构：上海浦一知识产权代理有限公司
代理人：黎伟
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