单晶硅电磁片生产工艺流程
• 1、硅片切割，资料准备：
• 工业制作硅电池所用的单晶硅资料，一般采取坩锅直拉法制的太阳级单晶硅棒，原始的形状为圆柱形，然后切割成方形硅片（或多晶方形硅片），硅片的边长一般为10~15cm，厚度约200~350um，电阻率约1Ω.cm的p型（掺硼）。
• 2、去除损伤层：
• 硅片在切割过程会发生大量的概况缺陷，这就会发生两个问题，首先概况的质量较差，另外这些概况缺陷会在电池制造过程中导致碎片增多。因此要将切割损伤层去除，一般采取碱或酸腐蚀，腐蚀的厚度约10um。
• 3、制绒：
• 制绒，就是把相对光滑的原资料硅片的概况通过酸或碱腐蚀，使其凸凹不服，变得粗糙，形成漫反射，减少直射到硅片概况的太阳能的损失。对于单晶硅来说一般采取NaOH加醇的方法腐蚀，利用单晶硅的各向异性腐蚀，在概况形成无数的金字塔结构，碱液的温度约80度，浓度约1~2%，腐蚀时间约15分钟。对于多晶来说，一般采取酸法腐蚀。
• 4、扩散制结：
• 扩散的目的在于形成PN结。普遍采取磷做n型掺杂。由于固态扩散需要很高的温度，因此在扩散前硅片概况的洁净非常重要，要求硅片在制绒后要进行清洗，即用酸来中和硅片概况的碱残留和金属杂质。
• 5、边沿刻蚀、清洗：
• 扩散过程中，在硅片的周边概况也形成了扩散层。周边扩散层使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，以至成为废品。目前，工业化生产用等离子干法腐蚀，在辉光放电条件下通过氟和氧交替对硅作用，去除含有扩散层的周边。
• 扩散后清洗的目的是去除扩散过程中形成的磷硅玻璃。
• 6、沉积减反射层：
• 沉积减反射层的目的在于减少概况反射，增加折射率。广泛使用PECVD淀积SiN ,由于PECVD淀积SiN时,不但是生长SiN作为减反射膜,同时生成了大量的原子氢,这些氢原子能对多晶硅片具有概况钝化和体钝化的双重作用,可用于大批量生产。
• 7、丝网印刷上下电极：
• 电极的制备是太阳电池制备过程中一个至关重要的步调，它不但决定了发射区的结构，而且也决定了电池的串联电阻和电池概况被金属覆盖的面积。，最早采取真空蒸镀或化学电镀技术，而现在普遍采取丝网印刷法，即通过特殊的印刷机和模版将银浆铝浆（银铝浆）印刷在太阳电池的正反面，以形成正负电极引线。
• 8、共烧形成金属接触：
• 晶体硅太阳电池要通过三次印刷金属浆料，传统工艺要用二次烧结才干形成良好的带有金属电极欧姆接触，共烧工艺只需一次烧结，同时形成上下电极的欧姆接触。在太阳电
池丝网印刷电极制作中，通常采取链式烧结炉进行快速烧结。
• 9、电池片测试：
• 完成的电池片经过测试分档进行归类。
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