专利名称：不良地质结构面横向贯穿水封洞库主洞室的处理方
法
专利类型：发明专利
发明人：郭得福,陈海锋,翟飞飞,洪开荣,师传志,魏征,王闯,周
正华,辛国平,陈建国,胡宝生
申请号：CN201310268417.1申请日：20130628公开号：CN103291311A公开日：20130911
摘要：本发明公开了一种不良地质结构面横向贯穿水封洞库主洞室的处理方法，在不良地质段位置处上下间隔设置有贯通该不良地质段的上连接洞（4）和下连接洞（2），通过上连接洞（4）和下连接洞（2）将不良地质段两端的主洞室（1）连通，且所述上连接洞（4）的顶部高程与主洞室（1）的顶部高程一致，所述下连接洞（2）的底部高程与主洞室（1）的底部高程一致。由于上、下连接洞的断面较小，相比主洞室的断面来说，对围岩的稳定性影响较小，在开挖过程中不易出现坍塌现象，从而大大降低了施工难度，并减少了施工成本。
申请人：中铁隧道集团一处有限公司
地址：401121 重庆市北部新区高新园星光大道76号天王星商务大厦B座
国籍：CN
代理机构：重庆市前沿专利事务所(普通合伙)
代理人：谭小容
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