一、填空题
1.主泵的尾气管道要有较强的吸力，保证尾气排放顺畅。检验方法：管道口能够吸住Φ100mm×5mm的纸板。
2、原料尺寸定义 ：
颗粒料：线度尺寸≤5mm 小块料： 5＜线度尺寸≤30mm
中小块料： 30＜线度尺寸≤60mm 大块料：60＜线度尺寸≤120mm
3.低压挥发时将埚位放置在 引晶埚位以下20~30mm，埚转设定为 2转，功率设定到 熔接功率，退出压力控制闭环，将节流阀开度调节到100%，逐步降低压气流量，使主室炉压到2~3Torr。挥发时间：1小时。
4. 放肩时随时观察放肩情况，有放飞迹象时，可少量提高放肩拉速，拉速范围控制在0.4～0.7mm/min之间，且拉速提升之后不能再降低。禁止改动埚转，必要时可少量升高热场温度：每次1到2个SP，两次之间的时间间隔不小于5分钟，总量不超过5个SP。
5. 拆炉后注意 将主炉筒降到距离地面200-300mm处。
6. 拆炉后如果晶体总长大于副室可容纳长度，将取晶框放置在电动叉车上，下降至取晶位置。
7.上轴的预热要求：提渣、引晶、掺杂、提小头操作等，各种上轴下降操作，须分段预热，以细颈下端为标准。先降至热屏上平口，预热10分钟左右。再从热屏上口降至引
晶液面以上约10mm处预热10分钟左右。然后开始相应操作。
8. 生成新生籽晶：第一次熔接引晶时，在原有籽晶的基础上，采用引晶的方式，将其加长50-80mm，保证冒出石墨夹头外的新生籽晶加原籽晶的长度在120-160mm，且在操作时要求熔接良好，引成单晶，直径8-12mm。
9. 如果新生籽晶在熔接时被损耗，需要重新操作“生成”。 在生成新生籽晶和引晶时要防止其直径大于原籽晶直径，避免籽晶无法取出。
二、简答题
1. 剪渣盖步骤：
1.打开副室小门，对于无副室小门炉型，渣盖要与副室同步转出。2.将渣盖下降到离副室炉筒下沿100mm左右。用钳子距渣盖粘接处以上10mm左右细颈最细处剪断，防止烫伤。3.上升籽晶，使籽晶下端升到副室下沿以上100mm左右，防止隔离阀磕断籽晶。4.用无尘纸蘸酒精将隔离阀周围及副室密封圈清理干净。
2.放肩断棱处理方法：
1. 原料干净（液面无漂浮的渣滓且提渣盖没有明显的渣滓），如果肩部直径小于50mm可直接回熔，反之则提出。 2. 原料脏（液面上有漂浮的渣滓或提渣盖上有明显渣滓），放肩断棱后，如果肩部直径大于100mm直接提出，不足则放大至100mm提出。
3.晶体扭曲/划弧的处理方法：
1. 晶体划弧：缓慢降低晶体转速，降低幅度为2～4转，频率为每5分钟降低1转。2. 晶体扭曲：若生长速率大于设定生长速率0.05mm/min，则适当增加升温幅度，设置温升速率2～5SP/hr，待正常后退出升温。反之则修改设定生长速率：在原来基础上降低0.1～0.2mm/min。
4.简述手动热检漏的步骤：
1. 关闭氩气进气管路上的手动球阀。2. 打开【氩气/真空】界面，点击三个充气阀图标，打开所有充气阀，并设定氩气流量为30slpm。3. 依次打开主泵，球阀，节流阀。4. 炉内达到极限真空后，记录极限真空数值。5. 依次关闭节流阀、球阀，主真空泵。6. 关泵后1分钟开始人工测量泄漏率。
5.简述热屏浸硅的原因及热屏浸硅后的清理方法：
原因：1.提升埚位时升过头 2.等径过程中埚跟过快 3.断线提出手动状态下没有及时将坩埚慢速降为零。 清理方法：对于溅硅严重及浸硅的热屏，直接进行煅烧，以彻底清除表面溅硅：在煅烧时，热屏放置于石墨埚帮中，埚位为-50.0，热屏下沿垫两层石墨毡；煅烧完毕后再将热屏清扫一遍。
6.炉筒的清扫流程：
使用硬毛刷与吸尘管配合，将炉筒内壁的挥发物吸除；用无尘布蘸纯水将炉筒内壁擦拭一遍；用细砂纸将难以吸除的挥发物打磨掉；最后用蘸酒精的无尘纸将炉筒内壁再擦拭一遍，直至擦后纸面无污痕；最后再用干的无尘纸擦拭一遍。注意清除热电堆及取光孔玻璃上挥发物。
7.简述真空泵换油顺序及注意事项：
关闭节流阀、球阀，待球阀完全关闭后停泵。悬挂警示牌。关闭换油炉台主泵的电源。将纸板铺在主泵正前方，防止泵油溢到地面上。在两个放油阀的正下方放好装废油的油桶，依次打开左侧管路阀和两个放油阀，开始放油，注意防止泵油遗漏在地面、泵体或水管。 当废油放出的流量变小时，缓缓盘动皮带直到废油放完为止。打开上泵腔侧盖。 将过滤网取下，用海绵将未放尽的废油吸干净。 用海绵把上泵腔内壁，尤其是死角处清理干净。 用柴油清洗干净过滤网。用海绵清理干净侧板, 安装过滤网，用蘸酒精的纸将侧板与上泵腔的密封面擦拭干净后安装侧板, 注意安装侧板之前请确认泵腔内没有遗留的物品,并且安装侧板时观察窗朝下，将放油阀及左侧管路阀关闭。将废油倒至专用的废油桶，注意防止将废油混入新油中。整理工具，清理泵体及现场. 用专用加油桶打取适量的新油加入泵腔内, 取走禁示牌。
8. 搬运晶体的安全防护 ：
辅助工在搬运晶体时，必须戴橡胶线手套，注意防止晶体滑落砸伤人。在运送晶体时，必须两人操作，一人推车，一人扶住晶体，防止晶体掉落造成事故。当运晶棒小车全部进入升降梯内后，必须用护栏两边的绳子将运晶棒车两端拴住，防止小车滑落造成事故。
9.外部引晶盒的使用要求：
使用中注意保护引晶盒及其连线，出现异常时请及时报修。使用中，应紧盯操作：必须在仔细观察上轴（或晶体）的情况下，才能进行操作；一旦视线离开，应立即停止操作。引晶盒只能拿在手中进行操作，离手时应立即停止操作。引晶盒在用完后及时将引晶盒电源关掉。
10.预防漏硅的注意事项：
1．装料前确认热场装配正常，上轴正常，石墨埚帮及石英坩埚合格。2。严格按照装料要求操作，避免砸伤石英坩埚，碰伤的坩埚退回坩埚房，经确认后再进行相关处理，禁止直接进行使用。3。提升上轴时注意隔离阀完全打开且上轴无摆动。4。回熔晶棒时，防止晶体一次性下降太多，戳坏石英坩埚。5。拉晶过程中要防止结晶造成漏硅。6。防止拉晶时多次断线回熔造成拉晶时间太长漏硅。7。提升上轴时禁止升过上轴限位。
11.炉台出现异常，查看处理时的注意事项：
发生异常后要及时通知相关部门进行处理，处理过程中要注意人身安全。当炉内出现异常报警时，先远离单晶炉的窥视孔、副室小门、聂耳根处，在触摸屏上查看异常类别。如果是炉压或超温异常报警，则查看触摸屏上的炉压或主室压力表显示，发现炉压有升高或正在上升时，应避免正对窥视孔、副室小门观察炉内，并与该单晶炉保持适当的距离（3-10米）。
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