专利名称：一种扩散方阻异常硅片的处理工艺专利类型：发明专利
发明人：郭飞,彭平,夏中高,顾鹏申请号：CN201710763100.3申请日：20170830公开号：CN107546117A公开日：20180105
摘要：本发明涉及硅太阳能电池制造领域，尤其涉及一种扩散方阻异常硅片的处理工艺，包括以下步骤：步骤1：筛选扩散后方阻≥110Ω的单晶硅片；步骤2：配置浓度5%‑20%的HF溶液去除表面的磷硅玻璃层，对单晶硅片酸洗5‑15min；步骤3：酸洗后通过自动化倒片机将步骤2的单晶硅片导入石英舟，依次按照沉积‑推进‑再沉积‑再推进四个步骤进行回炉扩散，该扩散方阻异常硅片的处理工艺大大提高了补扩成功率。
申请人：平煤隆基新能源科技有限公司
地址：452670 河南省许昌市襄城县产业集聚区(襄业路中段)
国籍：CN
代理机构：郑州科维专利代理有限公司
代理人：王年年
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